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芯片產業鏈可劃分為：設計、制造、封裝測試三個部分。集成電路產業一直是我國的短板。但經過這一二十年的不斷追趕，我國在芯片設計與封裝測試領域，并沒有落后太多。

A股上市的芯片企業在設計與封裝測試這兩大環節的技術已經達到行業的領先水平，但是大陸本土的芯片制造企業與如今最先進的芯片制造商相比還有明顯代際差距。與國際領先水平相比，中國大陸的芯片制造企業至少落后3-5年，工藝制程落后了大約3代。“中國芯”要想崛起，提升芯片制造水平是當務之急。   

拓墣產業研究院近日發布了2020年一季度前5大芯片代工企業營收排名。排名第一的是臺積電，其市場份額高達54.1%，營收同比增長43.7%，是當之無愧的霸主。韓國三星與美國格芯分列二三。第四名是聯電，份額為7.4%，與格芯相當。作為大陸企業優秀代表的中芯國際暫列第五，份額為4.5%，同比增長27%。 

艱難坎坷，打破空白

中芯國際的發展史與我國集成電路行業發展史一樣坎坷。 

2000年，被譽為華人半導體界第三號人物的張汝京，前往上海創辦了中芯國際，在大陸芯片代工產業開始“拓荒”。當時的大陸半導體產業落后于世界平均水平“至少20年”。 

作為拓荒者，中芯國際面對許多困難。 

首先，我國在半導體技術上幾乎完全空白。剛到大陸的張汝京發現，大陸僅有的幾家芯片企業都采用了全球芯片行業主流的IDM模式。但它們的體量遠小于英特爾這類大型芯片制造商。這是它們工藝落后、運營效率低的重要原因。 

其次，當時國內極度缺乏半導體制造設備領域的人才。所幸，張汝京帶來了昔日舊部，還有當時世界上最先進的集成電路制造設備和主流工藝技術，我國芯片代工制造才得以走出“蠻荒”。張汝京為大陸芯片制造業發展做出了巨大貢獻。 

成立僅僅幾年時間，中芯國際便一路高歌猛進，擠入全球前三甲。 

中芯國際的成功，也給中國半導體行業帶來了一些不一樣的色彩。此前中國半導體行業發展主要依靠政府資金，而中芯國際沒有利用國家資金，而是采用市場化的方式運作，闖出了中國半導體發展的一條全新道路。 

2004年，中芯國際于紐約、香港兩地同時上市。但好景不長，中芯國際很快就面臨“內憂外患”。于“外”：中芯國際受到西方國家瓦圣納條約的技術封鎖、在與芯片制造龍頭企業——臺積電的專利訴訟中落敗；于“內”：公司資金鏈斷裂、連續九年虧損，甚至創始人張汝京被“踢”出局。中芯國際一度在風雨中飄搖。 

但中芯國際并沒有被擊倒，在逆境中，它一步步發展成為大陸芯片制造第一企業，并再次向世界先進制程發起沖鋒。 

越過光刻機，沖刺7nm

制程，指的是芯片內電路與電路之間的距離。在生產CPU的過程中，集成電路的精細度、精度越高，生產工藝就越先進。制程是微電子技術發展與進步的重要指標，芯片制程越高，意味著芯片可以擁有更復雜的電路設計，不僅芯片性能得以提升，而且功耗也能大幅降低。 

目前，除了臺積電、英特爾、三星等世界頂尖廠商在積極追逐10nm、7nm、5nm甚至更先進的制程，由于技術和資金的問題，聯電和格芯已經放緩了革新的腳步，這對于中國本土的晶圓廠而言，是個不錯的發展機遇。中芯國際這些年在工藝的突破頻頻告捷，國產芯片崛起可期。 

中芯國際2019年Q4財報顯示，在工藝上，中芯國際的收入占比分別是，150/180nm占比35.8％、55/65nm 占比29.3％、40/45nm占比18.5％。雖然目前占營收頭部的依然是成熟的150/180nm、55/65nm工藝，最先進的28nm工藝占比只有4.3%，不過相比上季度的2.8%已經開始增長。 

2019年，中芯國際已宣布量產14nm芯片。且細看中芯國際的工藝研發路線可以發現，中芯國際在14nm量產后，可能會跳過10nm工藝，朝7nm的目標邁進。 

中芯國際此前多次表示：中芯國際的下一代工藝是N+1工藝。雖然中芯國際沒有透露具體細節，只是稱下一代工藝與14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。 

換算下來，這正是7nm的技術標準。 

一直以來，英特爾是按照單位面積內晶體管的數量來判斷芯片工藝的標準。英特爾10nm芯片一個單位占面積54*44nm，每平方毫米1.008億個晶體管；臺積電7nm芯片一個單位占面積57*40nm，每平方毫米1.0123億個晶體管。而中芯國際的N+1代工藝，也達到了7nm的標準。 

如果中芯國際能試產N+1工藝芯片，或能夠小批量生產N+1工藝芯片，中芯國際將成為全球第三家掌握10nm以下工藝的芯片代工企業。 

除此之外，中芯國際的FinFET技術研發也在不斷向前推進。第一代FinFET（14nm）已成功量產，第二代FinFET（12nm工藝）正在研發穩步推進。 

前段時間，荷蘭ASML的EUV光刻機禁運中芯國際事件，又將光刻機這一重要設備推向風口浪尖。中芯國際與國際最先進的芯片制造水平只有一兩代工藝的差距。目前，中芯國際已經成功掌握FinFET技術，未來只要掌握了 EUV 技術，中芯國際就可以與臺積電站在同一起跑線上，但EUV光刻機卻遲遲未到。 

但中芯國際CEO梁孟松多次表示，目前中芯國際無需EUV光刻機，也能實現7nm工藝的生產，臺積電第一代7nm工藝芯片也沒有使用EUV光刻機，但是之后的5nm、3nm工藝的芯片制造則必須使用EUV光刻機。 

如果中芯國際真的能迎來7nm的量產，在未來5年內，中芯國際將有望成為中國內地的下一個“臺積電”。

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來源：億歐